2N6045Gオン
利用できる
2N6045Gオン
特徴 • 高DC電流ゲイン − hFE = 2500 (標準) @ IC = 4.0 ADC • コレクタ-エミッタ持続電圧 − @ 100 mAdc − VCEO(sus) = 60 Vdc (最小) − 2N6040, 2N6043 = 100 Vdc (最小) − 2N6042, 2N6045 • 低コレクタ−エミッタ飽和電圧 − VCE(sat) = 2.0 Vdc (最大) @ IC = 4.0 ADC − 2N6043,44 = 2.0 Vdc (最大) @ IC = 3.0 ADC − 2N6042, 2N6045 • ベースエミッタシャント抵抗を内蔵したモノリシック構造 • エポキシはUL 94 V-0 @ 0.125 inに適合 • ESD定格:人体モデル、3B > 8000Vマシンモデル、C > 400V • これらのデバイスは鉛フリーで、RoHS準拠です*
特徴 • 高DC電流ゲイン − hFE = 2500 (標準) @ IC = 4.0 ADC • コレクタ-エミッタ持続電圧 − @ 100 mAdc − VCEO(sus) = 60 Vdc (最小) − 2N6040, 2N6043 = 100 Vdc (最小) − 2N6042, 2N6045 • 低コレクタ−エミッタ飽和電圧 − VCE(sat) = 2.0 Vdc (最大) @ IC = 4.0 ADC − 2N6043,44 = 2.0 Vdc (最大) @ IC = 3.0 ADC − 2N6042, 2N6045 • ベースエミッタシャント抵抗を内蔵したモノリシック構造 • エポキシはUL 94 V-0 @ 0.125 inに適合 • ESD定格:人体モデル、3B > 8000Vマシンモデル、C > 400V • これらのデバイスは鉛フリーで、RoHS準拠です*
連絡先情報が正しいことを確認してください。あなたの メッセージは 受取人に直接送付され、送付されません。 公開されます。私たちはあなたを配布または販売することは決してありません 個人的 第三者への情報提供を行わない場合 お客様の明示的な許可。
