CY15B064Q-SXE インフィニオン
利用できる
CY15B064Q-SXE インフィニオン
顔立ち
■ 64-Kbit ferroelectric random access memory (F-RAM) logically organized as 8K × 8
❐ 高耐久 10兆(1013)リード/ライト
❐ 121-year data retention (See the Data Retention and Endurance table) ❐ NoDelay™ writes
❐ 高度な高信頼性強誘電体プロセス ■ 非常に高速なシリアルペリフェラルインターフェース(SPI)
❐ 最大16MHzの周波数
❐ シリアルフラッシュとEEPROMの直接ハードウェア交換
❐ SPIモード0(0, 0)、モード3(1, 1)に対応
洗練された書き込み保護スキーム
(2)ライトプロテクト(WP)ピンを使用したハードウェア保護
❐ Write Disable命令によるソフトウェア保護
❐ 1/4、1/2、またはアレイ全体のソフトウェアブロック保護 低消費電力
❐ 300
・1MHzでのアクティブ電流
❐ 6 (typ) スタンバイ電流 (+85)
C
・低電圧動作:VDD=3.0V〜3.6V
■ Automotive-E temperature: –40
°Cから+125°C
8ピンSOIC(Small Outline Integrated Circuit)パッケージ
AEC Q100 Grade 1準拠
※ 特定有害物質使用制限(RoHS)対応
顔立ち
■ 64-Kbit ferroelectric random access memory (F-RAM) logically organized as 8K × 8
❐ 高耐久 10兆(1013)リード/ライト
❐ 121-year data retention (See the Data Retention and Endurance table) ❐ NoDelay™ writes
❐ 高度な高信頼性強誘電体プロセス ■ 非常に高速なシリアルペリフェラルインターフェース(SPI)
❐ 最大16MHzの周波数
❐ シリアルフラッシュとEEPROMの直接ハードウェア交換
❐ SPIモード0(0, 0)、モード3(1, 1)に対応
洗練された書き込み保護スキーム
(2)ライトプロテクト(WP)ピンを使用したハードウェア保護
❐ Write Disable命令によるソフトウェア保護
❐ 1/4、1/2、またはアレイ全体のソフトウェアブロック保護 低消費電力
❐ 300
・1MHzでのアクティブ電流
❐ 6 (typ) スタンバイ電流 (+85)
C
・低電圧動作:VDD=3.0V〜3.6V
■ Automotive-E temperature: –40
°Cから+125°C
8ピンSOIC(Small Outline Integrated Circuit)パッケージ
AEC Q100 Grade 1準拠
※ 特定有害物質使用制限(RoHS)対応
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