CY15B064Q-SXET サイプレス
利用できる
CY15B064Q-SXET サイプレス
64Kビット強誘電体ランダムアクセスメモリ(F-RAM)を8K×8として論理的に整理
❐ 高耐久 10兆(1013)リード/ライト
❐ 121年間のデータ保持(12ページの「データ保持と耐久性」を参照)
❐ NoDelay™書き込み
(2)高度で高信頼性な強誘電体プロセス
■ 非常に高速なシリアル・ペリフェラル・インターフェース(SPI)
❐ 最大16MHzの周波数
❐ シリアルフラッシュとEEPROMの直接ハードウェア交換
❐ SPIモード0(0, 0)、モード3(1, 1)に対応
洗練された書き込み保護スキーム
(2)ライトプロテクト(WP)ピンを使用したハードウェア保護
❐ Write Disable命令によるソフトウェア保護
❐ 1/4、1/2、またはアレイ全体のソフトウェアブロック保護
低消費電力
❐ 300
・1MHzでのAアクティブ電流❐6
・A(typ)スタンバイ電流(+85°C)
・低電圧動作:VDD=3.0V〜3.6V
車載用E温度:-40°C〜+125°C
8ピンSOIC(Small Outline Integrated Circuit)パッケージ
AEC Q100 Grade 1準拠
※ 特定有害物質使用制限(RoHS)対応
64Kビット強誘電体ランダムアクセスメモリ(F-RAM)を8K×8として論理的に整理
❐ 高耐久 10兆(1013)リード/ライト
❐ 121年間のデータ保持(12ページの「データ保持と耐久性」を参照)
❐ NoDelay™書き込み
(2)高度で高信頼性な強誘電体プロセス
■ 非常に高速なシリアル・ペリフェラル・インターフェース(SPI)
❐ 最大16MHzの周波数
❐ シリアルフラッシュとEEPROMの直接ハードウェア交換
❐ SPIモード0(0, 0)、モード3(1, 1)に対応
洗練された書き込み保護スキーム
(2)ライトプロテクト(WP)ピンを使用したハードウェア保護
❐ Write Disable命令によるソフトウェア保護
❐ 1/4、1/2、またはアレイ全体のソフトウェアブロック保護
低消費電力
❐ 300
・1MHzでのAアクティブ電流❐6
・A(typ)スタンバイ電流(+85°C)
・低電圧動作:VDD=3.0V〜3.6V
車載用E温度:-40°C〜+125°C
8ピンSOIC(Small Outline Integrated Circuit)パッケージ
AEC Q100 Grade 1準拠
※ 特定有害物質使用制限(RoHS)対応
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