FDD86250オン
利用できる
FDD86250オン
顔立ち
シールドゲートMOSFET技術
最大 rDs(on)= 22 m at Vcs = 10 V, lp= 8AMax 「os(on)= 31 m at Vcs = 6 V, lp=6.5A100% UIL テスト済み
RoHS対応
総記
このNチャネルMOSFETは、FairchildSemiconductorsのシールドゲート技術を組み込んだ高度なPowerTrenchプロセスを使用して製造されています。このプロセスは、オン状態抵抗に対して最適化されていますが、優れたスイッチング性能を維持しています。
顔立ち
シールドゲートMOSFET技術
最大 rDs(on)= 22 m at Vcs = 10 V, lp= 8AMax 「os(on)= 31 m at Vcs = 6 V, lp=6.5A100% UIL テスト済み
RoHS対応
総記
このNチャネルMOSFETは、FairchildSemiconductorsのシールドゲート技術を組み込んだ高度なPowerTrenchプロセスを使用して製造されています。このプロセスは、オン状態抵抗に対して最適化されていますが、優れたスイッチング性能を維持しています。
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