FDI045N10A-F102 オン
| 利用できる |
FDI045N10A-F102 オン
• RDS(on) = 3.8 m ( Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 100 A
•速い切換えの速度
• 低ゲート電荷、QG = 54 nC (標準)
•非常に低いRDS(on)のための高性能トレンチ技術
• 高電力および電流処理能力
•このデバイスは鉛フリーで、RoHSに準拠しています
• RDS(on) = 3.8 m ( Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 100 A
•速い切換えの速度
• 低ゲート電荷、QG = 54 nC (標準)
•非常に低いRDS(on)のための高性能トレンチ技術
• 高電力および電流処理能力
•このデバイスは鉛フリーで、RoHSに準拠しています
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