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- 最大 rDS(on)= 3.9 mo (Ves = 10 V、ID= 19 A の場合)
- 最大 「Ds(on)= 5.5 m at Ves = 8 V, ID=15.5A
- 高度なパッケージとシリコンの組み合わせにより、低rDs(on)と高効率を実現
- 次世代の強化されたボディダイオードテクノロジー、ソフトリカバリーのために設計された
- MSL1 堅牢なパッケージ設計
- 100%UILテスト済み
- RoHS対応
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