IMW120R090M1H インフィニオン

IMW120R090M1H Infineon
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IMW120R090M1H インフィニオン

・ スイッチング損失が非常に低い
 状態特性の閾値フリー
広いゲート-ソース電圧範囲
ベンチマークゲートスレッショルド電圧、VGS(th)= 4.5V
0Vターンオフゲート電圧により、ゲート駆動が容易でシンプル
 完全に制御可能なdV/dt
ハードコミュエーション用の堅牢なボディダイオード
温度に依存しないターンオフスイッチング損失
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