TI LM74610QDGKRQ1
| 利用できる |
TI LM74610QDGKRQ1
• 車載アプリケーション向けに認定
• AEC-Q100認定済みで、次の結果が得られました: – HBM ESD分類レベル2を上回る – デバイスCDM ESD分類レベルC4B
• 最大逆電圧45V
• アノード端子への正電圧制限なし
• 外付けNチャネルMOSFET用のチャージポンプゲートドライバ
• ショットキーダイオード/PFETソリューションよりも低消費電力
• 低逆リーク電流
• ゼロIQ
• 逆極性に対する高速応答 2μs
• 動作周囲温度: -40°C → +125°C
• OR接続アプリケーションで使用できます
• CISPR25 EMI 仕様に適合
• 適切なTVSダイオードで自動車のISO7637過渡要件に対応
• ピーク電流制限なし
• 車載アプリケーション向けに認定
• AEC-Q100認定済みで、次の結果が得られました: – HBM ESD分類レベル2を上回る – デバイスCDM ESD分類レベルC4B
• 最大逆電圧45V
• アノード端子への正電圧制限なし
• 外付けNチャネルMOSFET用のチャージポンプゲートドライバ
• ショットキーダイオード/PFETソリューションよりも低消費電力
• 低逆リーク電流
• ゼロIQ
• 逆極性に対する高速応答 2μs
• 動作周囲温度: -40°C → +125°C
• OR接続アプリケーションで使用できます
• CISPR25 EMI 仕様に適合
• 適切なTVSダイオードで自動車のISO7637過渡要件に対応
• ピーク電流制限なし
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