MC100EP196BFAR2Gオン
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MC100EP196BFAR2Gオン
• 最大入力クロック周波数 >1.2 GHz 標準
• プログラム可能な範囲:0 ns 〜 10 ns
遅延範囲:2.2ns〜12.4ns
• 10 ps 刻み • 直線性 ±最大 40ps
• PECL モード動作範囲: VCC = 3.0 V 〜 3.6 V、VEE = 0 V
• NECL モード動作範囲: VCC = 0 V、VEE = −3.0 V 〜 −3.6 V
•IN/IN入力はLVPECL、LVNECL、LVDSレベルを受け入れます
• ENピンのロジックがHになると、QはロジックLOWに強制されます
• D[10:0] は、LVPECL、LVCMOS、または LVTTL 入力レベルのいずれかを選択できます
• VBB出力基準電圧
• Pb-Freeデバイスです。
• 最大入力クロック周波数 >1.2 GHz 標準
• プログラム可能な範囲:0 ns 〜 10 ns
遅延範囲:2.2ns〜12.4ns
• 10 ps 刻み • 直線性 ±最大 40ps
• PECL モード動作範囲: VCC = 3.0 V 〜 3.6 V、VEE = 0 V
• NECL モード動作範囲: VCC = 0 V、VEE = −3.0 V 〜 −3.6 V
•IN/IN入力はLVPECL、LVNECL、LVDSレベルを受け入れます
• ENピンのロジックがHになると、QはロジックLOWに強制されます
• D[10:0] は、LVPECL、LVCMOS、または LVTTL 入力レベルのいずれかを選択できます
• VBB出力基準電圧
• Pb-Freeデバイスです。
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