NCD57084DR2Gオン
利用できる |
NCD57084DR2Gオン
• 高ピーク出力電流(+7A/-7A)
• 低出力インピーダンスによりIGBT駆動を強化
• 正確なマッチングによる短い伝搬遅延
• プログラム可能な遅延によるDESAT保護
• DESATの負電圧(-9Vまで)機能
• 短絡時のIGBTゲートクランプ
• IGBT ゲート アクティブ プルダウン
• IGBT短絡時のソフトターンオフ
• バイアスの柔軟性のためのタイトなUVLOスレッショルド
• UVLO/DESAT中の出力パーシャルパルス回避(再起動)
• 3.3 V、5 V、および 15 V ロジック入力
• 2.5kVrmsガルバニック絶縁
• 高い過渡耐性
• 高い電磁耐性
• NCV プレフィックスは、独自のサイトおよび制御変更要件を必要とする自動車およびその他のアプリケーション向け。AEC−Q100認定およびPPAP対応
•このデバイスは、鉛フリー、ハロゲンフリー/ BFRフリーで、RoHSに準拠しています
• 高ピーク出力電流(+7A/-7A)
• 低出力インピーダンスによりIGBT駆動を強化
• 正確なマッチングによる短い伝搬遅延
• プログラム可能な遅延によるDESAT保護
• DESATの負電圧(-9Vまで)機能
• 短絡時のIGBTゲートクランプ
• IGBT ゲート アクティブ プルダウン
• IGBT短絡時のソフトターンオフ
• バイアスの柔軟性のためのタイトなUVLOスレッショルド
• UVLO/DESAT中の出力パーシャルパルス回避(再起動)
• 3.3 V、5 V、および 15 V ロジック入力
• 2.5kVrmsガルバニック絶縁
• 高い過渡耐性
• 高い電磁耐性
• NCV プレフィックスは、独自のサイトおよび制御変更要件を必要とする自動車およびその他のアプリケーション向け。AEC−Q100認定およびPPAP対応
•このデバイスは、鉛フリー、ハロゲンフリー/ BFRフリーで、RoHSに準拠しています
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