NCP1568S02DBR2Gオン

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製品概要
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• トポロジと制御方式
♦ アクティブ・クランプ・フライバック・トポロジーの支援機能
♦ 独自のマルチモード動作により軽負荷効率を向上
♦ 独自の適応型ZVSにより、EMIを低減しながら高周波動作が可能
♦ メインクランプFETとアクティブクランプFETの両方に対応する適応型デッドタイムを内蔵
♦ ピーク電流-モード制御、スロープ補償機能内蔵、オプション付き
♦ 柔軟な制御方式とプログラマビリティにより、外部シリコンまたはGaN FETのいずれかで構成可能
• DCMおよび軽負荷動作
♦ お客様がプログラム可能なDCMへのオプションの移行
♦ 最小周波数クランプ付きの周波数フォールドバックを内蔵し、スタンバイ・モードでの最高性能を実現
♦ 最小周波数クランプと静かなスキップにより、可聴ノイズを除去
♦ スタンバイ電源 < 30 mW
• HVおよびスタートアップ回路を内蔵
♦ 700Vスタートアップ回路
♦ ACライン電圧低下検出
•ドライバー
♦ 0.85 A/1.5 A ソース/シンク (ローサイド用)
♦ 65 mA/150 mA アクティブ・クランプ・ドライバ出力
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