NCP51510MNTAGオン

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製品概要
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NCP51510MNTAGオン

• DDR メモリ終端電圧 (VTT) の生成
• DDR、DDR-2、DDR-3、DDR-4 ソース/シンク電流用
• 最大±3A(標準)の負荷をサポートし、出力は過電流保護されています
• サーマルシャットダウン保護機能付きMOSFET内蔵
• 高速負荷過渡応答
• VTT出力レギュレーションの状態を監視するPGOOD出力ピン
• サスペンドシャットダウンモード用のSS入力ピン
• 柔軟な電圧トラッキングのためのVRI入力リファレンス
• リモートセンシング用VTTS入力(ケルビン接続)
• 内蔵ソフトスタート、低電圧ロックアウト
• 小型、薄型 10 ピン、3 x 3 mm DFN パッケージ
• NCV51510MWTAG − 光学検査を強化するためのウェッタブルフランクオプション
• NCV プレフィックスは、独自のサイトおよび制御変更要件を必要とする自動車およびその他のアプリケーション向け。AEC−Q100認定およびPPAP対応*
•これはPb-Freeデバイスです
 
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