NCP81253MNTBGオン
利用できる |
NCP81253MNTBGオン
• スペース効率に優れた 2 mm x 2 mm DFN8 熱強化パッケージ
• VCC 範囲: 4.5 V → 5.5 V
• 内部ブートストラップダイオード
• 5 V 3段PWM入力
• ENミッドステートによるダイオードブレーキ機能
• 適応型交差導通防止回路により、FETのターンオンおよびターンオフ時の交差伝導から保護
• 出力ディセーブル制御により、イネーブルピンを介して両方のMOSFETをオフに
• VCC 低電圧ロックアウト
• これらのデバイスは、鉛フリー、ハロゲンフリー/BFRフリーで、RoHSに準拠しています
• スペース効率に優れた 2 mm x 2 mm DFN8 熱強化パッケージ
• VCC 範囲: 4.5 V → 5.5 V
• 内部ブートストラップダイオード
• 5 V 3段PWM入力
• ENミッドステートによるダイオードブレーキ機能
• 適応型交差導通防止回路により、FETのターンオンおよびターンオフ時の交差伝導から保護
• 出力ディセーブル制御により、イネーブルピンを介して両方のMOSFETをオフに
• VCC 低電圧ロックアウト
• これらのデバイスは、鉛フリー、ハロゲンフリー/BFRフリーで、RoHSに準拠しています
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