NCV1060BD100R2Gオン
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NCV1060BD100R2Gオン
• RDS(on)が34(NCV1060)および11.4(NCV1063)の670V MOSFETを内蔵
• 高電圧ピン間の大きな沿面距離
• 電流モード固定周波数動作 – 60 kHz または 100 kHz
•調整可能なピーク電流:次の表を参照してください
• 固定ランプ補正
• 非絶縁型コンバータの直接フィードバック接続
• 内部および調整可能な過電力保護(OPP)回路
• 低ピーク電流のみでのスキップサイクル動作
• ダイナミック自己供給:補助巻線は不要
• 内部 4 ms ソフトスタート
• タイマーベースの検出による自動回復出力短絡保護
• 補助巻線操作による自動回復過電圧保護
• EMIシグネチャを向上させるための周波数ジッタリング
• 無負荷入力消費 < 50 mW
• RDS(on)が34(NCV1060)および11.4(NCV1063)の670V MOSFETを内蔵
• 高電圧ピン間の大きな沿面距離
• 電流モード固定周波数動作 – 60 kHz または 100 kHz
•調整可能なピーク電流:次の表を参照してください
• 固定ランプ補正
• 非絶縁型コンバータの直接フィードバック接続
• 内部および調整可能な過電力保護(OPP)回路
• 低ピーク電流のみでのスキップサイクル動作
• ダイナミック自己供給:補助巻線は不要
• 内部 4 ms ソフトスタート
• タイマーベースの検出による自動回復出力短絡保護
• 補助巻線操作による自動回復過電圧保護
• EMIシグネチャを向上させるための周波数ジッタリング
• 無負荷入力消費 < 50 mW
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