NTMFS4D2N10MDT1Gオン
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NTMFS4D2N10MDT1Gオン
• シールドゲートMOSFET技術
• 導通損失を最小限に抑えるための低RDS(on)
• 低QGと低静電容量により、ドライバーの損失を最小化
• 低QRR、ソフトリカバリーボディダイオード
• 低QOSSにより軽負荷効率を向上
•これらのデバイスは、Pb-Free、Halogen Free / BFRFree、BerylliumFreeで、RoHSに準拠しています
• シールドゲートMOSFET技術
• 導通損失を最小限に抑えるための低RDS(on)
• 低QGと低静電容量により、ドライバーの損失を最小化
• 低QRR、ソフトリカバリーボディダイオード
• 低QOSSにより軽負荷効率を向上
•これらのデバイスは、Pb-Free、Halogen Free / BFRFree、BerylliumFreeで、RoHSに準拠しています
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