TI REF3112AQDBZRQ1
| 利用できる |
TI REF3112AQDBZRQ1
AEC-Q100 認定を受け、次の結果が得られます。
– デバイスの TA 範囲: –40°C から 125°C
– デバイス HBM ESD 分類レベル H1C
– デバイス CDM ESD 分類レベル C4A
• 高精度:最大 0.2%
• 優れた指定ドリフト性能:
-20ppm/°C(最大)-40°C〜+125°C
• 高出力電流:±10mA
• 低ドロップアウト: 5mV
• 低IQ:最大115μA
• 低ノイズ: 17 μVp-p/V
• 出力コンデンサ不要
• 使用可能な電圧オプション:1.2 V、2 V、2.5 V、3 V、3.3 V、4 V
• MicroSizeパッケージ:3ピンSOT-23
AEC-Q100 認定を受け、次の結果が得られます。
– デバイスの TA 範囲: –40°C から 125°C
– デバイス HBM ESD 分類レベル H1C
– デバイス CDM ESD 分類レベル C4A
• 高精度:最大 0.2%
• 優れた指定ドリフト性能:
-20ppm/°C(最大)-40°C〜+125°C
• 高出力電流:±10mA
• 低ドロップアウト: 5mV
• 低IQ:最大115μA
• 低ノイズ: 17 μVp-p/V
• 出力コンデンサ不要
• 使用可能な電圧オプション:1.2 V、2 V、2.5 V、3 V、3.3 V、4 V
• MicroSizeパッケージ:3ピンSOT-23
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