TI TPD4E001QDBVRQ1
| 利用できる |
TI TPD4E001QDBVRQ1
AEC-Q100 認定を受け、次の結果が得られます。
–デバイスの温度グレード1:
-40°C〜125°Cの周囲動作温度範囲
– デバイス HBM ESD 分類レベル 3B
– HBMレベル15kV
– デバイス CDM ESD 分類レベル C5
IEC 61000-4-2 レベル 4 ESD 保護
– ±8 kV 接触放電 – ±15 kV エアギャップ放電
IEC 61000-4-5 サージ保護 - 5.5 A(8/20 μs)
• 1.5pF の低入力容量
• 最大リーク電流 10nA と低い
• 0.9V から 5.5V の電源電圧範囲
AEC-Q100 認定を受け、次の結果が得られます。
–デバイスの温度グレード1:
-40°C〜125°Cの周囲動作温度範囲
– デバイス HBM ESD 分類レベル 3B
– HBMレベル15kV
– デバイス CDM ESD 分類レベル C5
IEC 61000-4-2 レベル 4 ESD 保護
– ±8 kV 接触放電 – ±15 kV エアギャップ放電
IEC 61000-4-5 サージ保護 - 5.5 A(8/20 μs)
• 1.5pF の低入力容量
• 最大リーク電流 10nA と低い
• 0.9V から 5.5V の電源電圧範囲
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