TI TPS1H200AQDGNRQ1
利用できる
TI TPS1H200AQDGNRQ1
• 車載アプリケーション向けに認定
AEC-Q100 認定を受け、次の結果が得られます。
–デバイスの温度グレード1:
-40°C〜+125°Cの周囲動作温度範囲
– デバイス HBM ESD 分類レベル H2
– デバイス CDM ESD 分類レベル C4B
• 機能安全対応
– 機能安全システムの設計に役立つ資料
• シングルチャネル 200mΩ スマート・ハイサイド・スイッチ
• 広い動作電圧:3.4V〜40V
•超低スタンバイ電流、 < 500 nA
• 外部抵抗による調整可能な電流制限 – ≥ 500 mA の場合は ±15% – ≥ 1.5 A の場合は ±10%
• 電流制限後の設定可能な動作
–保持モード
– 遅延時間を調整できるラッチオフモード
– 自動再試行モード
• MCUなしのスタンドアロン動作をサポート
•保護：
– GNDへの短絡および過負荷保護
–サーマルシャットダウンとサーマルスイング
–誘導性負荷用の負電圧クランプ
– GNDの損失とバッテリー保護の喪失
•診断：
– 過負荷およびGNDへの短絡検出
- ONまたはOFF状態でのオープン負荷およびバッテリへの短絡検出
–サーマルシャットダウンとサーマルスイング
• 車載アプリケーション向けに認定
AEC-Q100 認定を受け、次の結果が得られます。
–デバイスの温度グレード1:
-40°C〜+125°Cの周囲動作温度範囲
– デバイス HBM ESD 分類レベル H2
– デバイス CDM ESD 分類レベル C4B
• 機能安全対応
– 機能安全システムの設計に役立つ資料
• シングルチャネル 200mΩ スマート・ハイサイド・スイッチ
• 広い動作電圧:3.4V〜40V
•超低スタンバイ電流、 < 500 nA
• 外部抵抗による調整可能な電流制限 – ≥ 500 mA の場合は ±15% – ≥ 1.5 A の場合は ±10%
• 電流制限後の設定可能な動作
–保持モード
– 遅延時間を調整できるラッチオフモード
– 自動再試行モード
• MCUなしのスタンドアロン動作をサポート
•保護：
– GNDへの短絡および過負荷保護
–サーマルシャットダウンとサーマルスイング
–誘導性負荷用の負電圧クランプ
– GNDの損失とバッテリー保護の喪失
•診断：
– 過負荷およびGNDへの短絡検出
- ONまたはOFF状態でのオープン負荷およびバッテリへの短絡検出
–サーマルシャットダウンとサーマルスイング
連絡先情報が正しいことを確認してください。あなたの メッセージは 受取人に直接送付され、送付されません。 公開されます。私たちはあなたを配布または販売することは決してありません 個人的 第三者への情報提供を行わない場合 お客様の明示的な許可。
