TPS54061QDRBRQ1 TIの
利用できる
TPS54061QDRBRQ1 TIの
1特徴
.車載アプリケーション向けに認定済み
.AEC-Q100認定を受け、以下の結果が得られました。
-デバイス温度グレード1:-40°C〜125°C
周囲動作温度範囲
- デバイスHBM ESD分類レベルH2 - デバイスCDM ESD分類レベルC3B統合ハイサイドおよびローサイドMOSFET。軽負荷効率のためのダイオードエミュレーション。ピーク電流モード制御
.動作時の静止電流:90μA1.4μA のシャットダウン電源電流
50kHz から 1.1MHz の調整可能なスイッチング周波数
外部クロックに同期 - 0.8V士1%の電圧基準
セラミック出力コンデンサまたは低コストのアルミニウム電解で安定
サイクルごとの電流制限、サーマル、OVP、および周波数フォールドバック保護
3mm x 3mm、8 ピン SON パッケージ (ThermalPad 付き)
.-40°C〜150°Cの動作ジャンクション温度
1特徴
.車載アプリケーション向けに認定済み
.AEC-Q100認定を受け、以下の結果が得られました。
-デバイス温度グレード1:-40°C〜125°C
周囲動作温度範囲
- デバイスHBM ESD分類レベルH2 - デバイスCDM ESD分類レベルC3B統合ハイサイドおよびローサイドMOSFET。軽負荷効率のためのダイオードエミュレーション。ピーク電流モード制御
.動作時の静止電流:90μA1.4μA のシャットダウン電源電流
50kHz から 1.1MHz の調整可能なスイッチング周波数
外部クロックに同期 - 0.8V士1%の電圧基準
セラミック出力コンデンサまたは低コストのアルミニウム電解で安定
サイクルごとの電流制限、サーマル、OVP、および周波数フォールドバック保護
3mm x 3mm、8 ピン SON パッケージ (ThermalPad 付き)
.-40°C〜150°Cの動作ジャンクション温度
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