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TI TPS65150QPWPRQ1

1 特長 1• AEC-Q100認定: — デバイス温度グレード 1: –40°C 〜 125°C ジャンクション温度 — AEC に準拠したデバイス HBM ESD 分類 - Q100-002 — AEC に準拠したデバイス CDM ESD 分類 - Q100-011 • 入力電圧範囲: 1.8 V 〜 6 V • V(VS) ブーストコンバータ — 最大 15 V 出力電圧 — < 1% Output Voltage Accuracy – 2-A Switch Current Limit • V(VGH) Positive Regulated Charge Pump Driver – Up to 30 V Output Voltage – Gate Voltage Shaping • V(VGL) Negative Regulated Charge Pump Driver – Down to –15 V Output Voltage • Integrated VCOM Buffer • Adjustable Power On Sequencing – Gate Drive Signal for External Isolation MOSFET for V(VS) • Protection Features – Out-of-Regulation Protection – Over-voltage Protection – Adjustable Fault Detection Timing – Thermal Shutdown • 24-Pin TSSOP Package with Exposed Thermal Pad
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