TI TPS73733QDRBRQ1
| 利用できる |
TI TPS73733QDRBRQ1
• 車載アプリケーション向けに認定
AEC-Q100 認定を受け、次の結果が得られます。
–デバイス温度グレード1:–40°C〜125°Cの周囲動作温度範囲
– デバイス HBM ESD 分類レベル 2
– デバイス CDM ESD 分類レベル C4A
• 1μF 以上のセラミック出力コンデンサで安定
• 入力電圧範囲:2.2 V〜5.5 V
• 超低ドロップアウト電圧: 1A で 130mV (代表値)
• 優れた負荷過渡応答 (出力コンデンサが 1μF のみの場合も)
• NMOSトポロジーにより、低逆リーク電流を実現
• 1% の初期精度
• ライン、負荷、および温度に対して 3% の全体的な精度
• シャットダウン・モードでの静止電流は 20nA (標準値) 未満
• サーマルシャットダウンと電流制限による障害保護
• 複数の出力電圧バージョンで利用可能
• 車載アプリケーション向けに認定
AEC-Q100 認定を受け、次の結果が得られます。
–デバイス温度グレード1:–40°C〜125°Cの周囲動作温度範囲
– デバイス HBM ESD 分類レベル 2
– デバイス CDM ESD 分類レベル C4A
• 1μF 以上のセラミック出力コンデンサで安定
• 入力電圧範囲:2.2 V〜5.5 V
• 超低ドロップアウト電圧: 1A で 130mV (代表値)
• 優れた負荷過渡応答 (出力コンデンサが 1μF のみの場合も)
• NMOSトポロジーにより、低逆リーク電流を実現
• 1% の初期精度
• ライン、負荷、および温度に対して 3% の全体的な精度
• シャットダウン・モードでの静止電流は 20nA (標準値) 未満
• サーマルシャットダウンと電流制限による障害保護
• 複数の出力電圧バージョンで利用可能
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