TI TS3USB221AQRSERQ1
| 利用できる |
TI TS3USB221AQRSERQ1
• 車載アプリケーション向けに認定
AEC-Q100 認定を受け、次の結果が得られます。
– デバイス温度グレード 1: -40°C 〜 125°C の周囲動作温度範囲
– デバイス HBM ESD 分類レベル H2
– デバイス CDM ESD 分類レベル C5
• 2.5 V 〜 3.3 V での VCC 動作
• VI/Oは最大5.5Vの信号を受け入れます
• 1.8V 互換の制御ピン入力
• OEがディスエーブル時の低電力モード(1μA)
• rON = 最大 16 Ω
• ΔrON = 0.2 Ω 標準
• Cio(on) = 6 pF (標準)
• 低消費電力 (最大 30 μA)
• 高帯域幅(標準 900 MHz)
• JESD 22 に従ってテストされた ESD 性能
– 7000 V 人体モデル (A114-B、クラス II)
– 1000V 帯電デバイス モデル(C101)
• JESD 22 – 12kV人体モデルに準拠したGNDへのESD性能I/O
• 車載アプリケーション向けに認定
AEC-Q100 認定を受け、次の結果が得られます。
– デバイス温度グレード 1: -40°C 〜 125°C の周囲動作温度範囲
– デバイス HBM ESD 分類レベル H2
– デバイス CDM ESD 分類レベル C5
• 2.5 V 〜 3.3 V での VCC 動作
• VI/Oは最大5.5Vの信号を受け入れます
• 1.8V 互換の制御ピン入力
• OEがディスエーブル時の低電力モード(1μA)
• rON = 最大 16 Ω
• ΔrON = 0.2 Ω 標準
• Cio(on) = 6 pF (標準)
• 低消費電力 (最大 30 μA)
• 高帯域幅(標準 900 MHz)
• JESD 22 に従ってテストされた ESD 性能
– 7000 V 人体モデル (A114-B、クラス II)
– 1000V 帯電デバイス モデル(C101)
• JESD 22 – 12kV人体モデルに準拠したGNDへのESD性能I/O
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