TI UCC27511AQDBVRQ1
| 利用できる |
TI UCC27511AQDBVRQ1
• 車載アプリケーション向けに認定
AEC-Q100 認定を受け、次の結果が得られます。
– デバイス温度グレード 1: -40°C 〜 125°C の周囲動作温度範囲
– デバイス HBM ESD 分類レベル 2
– デバイス CDM ESD 分類レベル C4B
• NPNおよびPNPディスクリートソリューションの優れた代替品を提供する低コストのゲートドライバデバイス
• 4 A ピーク ソースと 8 A ピーク シンク非対称ドライブ
• 強力なシンク電流により、ミラーターンオンに対する耐性が向上
• UCC27511A-Q1の分割出力構成(ターンオン速度とターンオフ速度の容易で独立した調整が可能)
高速伝搬遅延(標準値 13ns)
• 高速の立ち上がり時間と立ち下がり時間 (標準 9ns および 7ns)
• 4.5 → 18V の単一電源電圧範囲
• VDD UVLO中に出力をローに保持(パワーアップおよびパワーダウン時にグリッチのない動作を保証)
• TTLおよびCMOS互換の入力ロジックスレッショルド(電源電圧に依存しない)
• 高ノイズ耐性のためのヒステリシス論理閾値
• デュアル入力設計 (反転 (IN– ピン) または非反転 (IN+ ピン) ドライバー構成の選択)
–未使用の入力ピンは、有効または無効機能に使用できます
• 入力ピンがフローティング状態のときに出力がローに保持
• VDDピンバイアス供給電圧に制限されない入力ピン絶対最大電圧レベル
• 車載アプリケーション向けに認定
AEC-Q100 認定を受け、次の結果が得られます。
– デバイス温度グレード 1: -40°C 〜 125°C の周囲動作温度範囲
– デバイス HBM ESD 分類レベル 2
– デバイス CDM ESD 分類レベル C4B
• NPNおよびPNPディスクリートソリューションの優れた代替品を提供する低コストのゲートドライバデバイス
• 4 A ピーク ソースと 8 A ピーク シンク非対称ドライブ
• 強力なシンク電流により、ミラーターンオンに対する耐性が向上
• UCC27511A-Q1の分割出力構成(ターンオン速度とターンオフ速度の容易で独立した調整が可能)
高速伝搬遅延(標準値 13ns)
• 高速の立ち上がり時間と立ち下がり時間 (標準 9ns および 7ns)
• 4.5 → 18V の単一電源電圧範囲
• VDD UVLO中に出力をローに保持(パワーアップおよびパワーダウン時にグリッチのない動作を保証)
• TTLおよびCMOS互換の入力ロジックスレッショルド(電源電圧に依存しない)
• 高ノイズ耐性のためのヒステリシス論理閾値
• デュアル入力設計 (反転 (IN– ピン) または非反転 (IN+ ピン) ドライバー構成の選択)
–未使用の入力ピンは、有効または無効機能に使用できます
• 入力ピンがフローティング状態のときに出力がローに保持
• VDDピンバイアス供給電圧に制限されない入力ピン絶対最大電圧レベル
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