TI UCC27524AQDRQ1
| 利用できる |
TI UCC27524AQDRQ1
• 車載アプリケーション向けに認定
• AEC-Q100 認定済み (次の結果)
–デバイス温度グレード1
– デバイス HBM ESD 分類レベル H2
– デバイス CDM ESD 分類レベル C4B
• 業界標準のピン配置
• 2つの独立したゲートドライブチャンネル
• 5A のピーク・ソースおよびシンク・ドライブ電流
• 各出力の独立したイネーブル機能
• TTLおよびCMOS互換のロジック閾値は電源電圧に依存しない
• 高ノイズ耐性のためのヒステリシス論理閾値
• 入力で負の電圧(-5V)を処理する能力
• VDDピンバイアス供給電圧に制限されない入力およびイネーブルピン電圧レベル
• 4.5V から 18V の単一電源範囲
• VDD-UVLO中、出力はローに保持(パワーアップおよびパワーダウン時のグリッチフリー動作を保証)
高速伝搬遅延(標準値 13ns)
• 高速の立ち上がり時間と立ち下がり時間 (標準 7ns および 6ns)
• 2 チャネル間の遅延マッチング:1ns (標準)
• 高駆動電流のために2つの出力を並列化する能力
• 入力がフローティングのときに出力をLOWに保持
• SOIC-8 および MSOP-8 PowerPad™ パッケージ オプション
• 動作温度範囲: -40°C から 140°C
• 車載アプリケーション向けに認定
• AEC-Q100 認定済み (次の結果)
–デバイス温度グレード1
– デバイス HBM ESD 分類レベル H2
– デバイス CDM ESD 分類レベル C4B
• 業界標準のピン配置
• 2つの独立したゲートドライブチャンネル
• 5A のピーク・ソースおよびシンク・ドライブ電流
• 各出力の独立したイネーブル機能
• TTLおよびCMOS互換のロジック閾値は電源電圧に依存しない
• 高ノイズ耐性のためのヒステリシス論理閾値
• 入力で負の電圧(-5V)を処理する能力
• VDDピンバイアス供給電圧に制限されない入力およびイネーブルピン電圧レベル
• 4.5V から 18V の単一電源範囲
• VDD-UVLO中、出力はローに保持(パワーアップおよびパワーダウン時のグリッチフリー動作を保証)
高速伝搬遅延(標準値 13ns)
• 高速の立ち上がり時間と立ち下がり時間 (標準 7ns および 6ns)
• 2 チャネル間の遅延マッチング:1ns (標準)
• 高駆動電流のために2つの出力を並列化する能力
• 入力がフローティングのときに出力をLOWに保持
• SOIC-8 および MSOP-8 PowerPad™ パッケージ オプション
• 動作温度範囲: -40°C から 140°C
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