TI SN65HVD1040QDRQ1
利用できる
TI SN65HVD1040QDRQ1
1 特徴 1• 車載アプリケーション向けに認定 • AEC-Q100テストガイダンスには、次のものがあります: — デバイス温度グレード1:-40°C〜125°C周囲動作温度 — デバイスHBM ESD分類レベル: — 1、5、6、7を除くすべてのピンでレベル3A — ピン1、5、6、7でレベル3B — デバイスCDM ESD分類レベルC6 — デバイスMM ESD分類レベルM3 • 顧客固有の構成制御をサポートでき、大幅な変更承認も可能 • ドロップイン交換の改善TJA1040用 - ISO 11898-5の要件を満たすか、それを超える - GIFT/ICT準拠 - バスピンで最大±8kV(人体モデル)のESD保護 - バスウェイクアップによる低電流スタンバイモード、 <12 µA Maximum • High Electromagnetic Immunity (EMI) • Low Electromagnetic Emissions (EME) • Bus-Fault Protection of –27 V to 40 V • Dominant Time-Out Function • Thermal Shutdown Protection • Power-Up or Down Glitch-Free Bus Inputs and Outputs – High Input Impedance With Low VCC – Monotonic Outputs During Power Cycling
1 特徴 1• 車載アプリケーション向けに認定 • AEC-Q100テストガイダンスには、次のものがあります: — デバイス温度グレード1:-40°C〜125°C周囲動作温度 — デバイスHBM ESD分類レベル: — 1、5、6、7を除くすべてのピンでレベル3A — ピン1、5、6、7でレベル3B — デバイスCDM ESD分類レベルC6 — デバイスMM ESD分類レベルM3 • 顧客固有の構成制御をサポートでき、大幅な変更承認も可能 • ドロップイン交換の改善TJA1040用 - ISO 11898-5の要件を満たすか、それを超える - GIFT/ICT準拠 - バスピンで最大±8kV(人体モデル)のESD保護 - バスウェイクアップによる低電流スタンバイモード、 <12 µA Maximum • High Electromagnetic Immunity (EMI) • Low Electromagnetic Emissions (EME) • Bus-Fault Protection of –27 V to 40 V • Dominant Time-Out Function • Thermal Shutdown Protection • Power-Up or Down Glitch-Free Bus Inputs and Outputs – High Input Impedance With Low VCC – Monotonic Outputs During Power Cycling
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